主要特征 FL 9BW 是鑫图针对长曝光应用开发的新一代深度制冷CMOS相机。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技术和鑫图先进制冷密封工艺、图像降噪技术联合打造，不仅长曝光关键性能达到了深度制冷CCD的水平，还同时具有现代CMOS高灵敏度、高速、高动态等性能特征，可以完全替代制冷CCD长曝光应用。
<0.0005 e-/p/s暗电流 可替代冷CCD长曝光应用 FL 9BW暗电流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可达-25℃，关键性能达到了深度制冷CCD相当的水平。在~10分钟长曝光的条件下，FL 9BW仍能获取高信噪比(SNR)的图像，且在正常曝光时间内 (60分钟)，信噪比都优于695 CCD。
背景均一 定量分析更精准 FL 9BW同时集成了索尼芯片优异的辉光抑制能力和鑫图先进图像降噪处理技术，基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良制程因素对正常信号的干扰，成像背景均一，更适合定量分析应用。
SONY 背照式科学级芯片 综合成像性能优越 FL 9BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS芯片，不仅长曝光性能和CCD相当，峰值量子效率高达92%，读出噪声仅0.9 e-，弱光成像能力碾压CCD，动态范围更是传统CCD的4倍以上，综合成像性能十分优越。

 

技术参数

 

型号 FL 9BW
芯片类型 BSI CMOS
芯片型号 SONY IMX533CLK-D
峰值量子效率: 92 % @ 530 nm
彩色 / 黑白 黑白
对角线尺寸 15.96 mm (1")
有效面积 11.28 mm × 11.28 mm
分辨率 3000 x 3000, 9 MP
像素大小 3.76 μm × 3.76 μm
满阱容量 47 ke- @ Gain 0；16 ke- @ Gain 1；7.8 ke- @ Gain 2；3 ke- @ Gain 3；
增益模式 Gain 0；Gain 1；Gain 2；Gain 3；
帧率 19 fps @ Standard Mode，12 fps @ Low Noise Mode
读出噪声 2.5 e- @ Gain 0，1.0 e- @ Gain 1，0.85 e- @ Gain 2；0.75 e- @ Gain 3；
快门类型

卷帘
曝光时间 15 μs ~ 60 min

制冷方式

风冷
制冷温度 -25 ℃ @ 室温（22℃）
暗电流 < 0.0005 e-/p/s
Binning 2 x 2，3 x 3，4 x 4，6 x 6，8 x 8
ROL 支持
触发模式 硬件, 软件
触发输出 曝光开始，全局，读出结束，高电平，低电平
触发接口 Horise
数据接口 USB 3.0
光学接口 C-Mount，支持定制
位深 14 bit @ bin1；FPGA bining 自动扩展到 16 bit
电源 12 V / 6 A
功耗 ≤ 40 W
相机尺寸 76 mm x 76 mm x 98.5 mm
重量 835 g
操作系统 Windows, Linux
操作环境 温度 0~40 °C, 湿度 10~85%        储存：温度 -10~60 ℃, 湿度 0~85 % 

 

 

 

资源下载 >

●FL 9BW技术规格书.pdf

●FL 9BW结构图纸.pdf

 

 

 

应用方向 >

 

    

                     生物芯片                                                dPCR                                                  化学发光                                             荧光成像