近100%量子效率 @ 80eV-1000eV 采用新一代无抗反射镀膜背照式sCMOS芯片,在对应80eV-1000eV光子能量范围内量子效率大幅提升,整体超过了90%,部分波段达到了近乎100%的超高水平,具有更专业的软X射线、极紫外成像性能和抗辐射损伤能力。
10-5 Pa 真空兼容度 采用鑫图先进制冷密封技术,真空兼容度最高可达10-5 Pa的超高水平,制冷深度最高可达-50℃@20℃,可大幅降低相机暗电流噪声,提升长曝光应用时间。
高速高动态成像优势 背照式sCMOS技术成像速度是CCD技术的数十倍,并整体呈现出非常高的动态范围优势。如图所示,其在采集在软X射线衍射图例中,其衍射级数达到6阶的极大值。